关于纯度和干燥度的控制，
，，，我国CBJ73—84《清洁厂房设计规范》中指出，
，，，“高纯 气体系指纯度大于或即是99.9995%，
，，，含水量小于5ppm气体。。。。。。。”日本把微电子生产中所接纳的气体，
，，，按其差别的品位，
，，，详细分为下列几个差别的层次：

　　1.超高纯气体 气体中杂质总含量控制在1ppm以下，
，，，水份含量控制在0.2~1ppm。。。。。。。

　　2.高纯气体 气体中杂质总含量控制在5ppm以下，
，，，水份含量控制在3 ppm以内。。。。。。。

　　3.清洁气体 气体中杂质总含量控制在10 ppm以下,对水份含量未作严酷划定。。。。。。。

　　上述划定，
，，，都未涉及清洁度。。。。。。。我们知道集成电路的生产，
，，，险些都是在清洁情形中举行，
，，，是避免灰尘粒子污染微电子产品所必需的。。。。。。。以是，
，，，对清洁的生产情形绝不允许接纳不清洁的气体来破损，
，，，必需使气体的清洁度与清洁情形坚持一致，
，，，凭证相关资料以及近些年公司相关工程的履历举行了一些归纳。。。。。。。

　　一、高纯气体特种气体的看法

　　半导体集成电路制造所需要的高纯气体主要分为两大类：

　　1.通俗气体：也叫大宗气体，
，，，主要有：H2 、N2 、O2 、Ar 、He等。。。。。。。

　　2.特种气体：主要指州掺杂用气体、外延用气体、离子注入用气体、刻蚀用气体等。。。。。。。

　　半导体制造用气体凭证使用时的危险性分类：

　　1.可燃、助燃、易燃易爆气体：H2 、CH4、H2S、NH3 、SiH4、PH3 、B2H6、SiH2CL3、CLF3、SiHCL3等

　　2.有毒气体：AsH3、PH3 、B2H6等

　　3.助燃气体：O2 、N2O、F2 、HF等

　　4.窒息性气体：N2 、He 、CO2、Ar等

　　5.侵蚀性气体：HCL 、PCL3 、POCL3 、HF、SiF4、CLF3等

　　二.特种气体供应系统

　　特种气体的供应方法阻止现在为止，
，，，险些皆用钢瓶的方法举行。。。。。。。一样平常常用的为高压钢瓶，
，，，依其填充的气体特征有分为气态和液态两种。。。。。。。一样平常气体依液态贮存于钢瓶内，
，，，瓶内压力较高，
，，，以是方法是选用吸附式气态钢瓶，
，，，以气体分子与吸附剂间的范德瓦力将气体吸附于吸附剂孔隙中，
，，，其优点为供气压力低于一个大气压，
，，，无任何走漏的危险，
，，，且供宇量为通俗高压钢瓶的10倍，
，，，低蒸汽压的气体以液态贮存于钢瓶内;针对易燃易爆，
，，，有毒性侵蚀性的气体，
，，，常将钢瓶至于特气柜中，
，，，再通过管路将气体供应至现场周围的阀箱，
，，，经由一系列的控制此后进入用气点;一样平常惰性气体以开放式的气瓶架和阀盘供应